Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (2)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Boltovets M$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Boltovets M. S. 
Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity [Електронний ресурс] / M. S. Boltovets, V. M. Ivanov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V. Milenin, V. V. Shynkarenko, V. M. Sheremet, Yu. N. Sveshnikov, B. S. Yavich // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 4. - С. 337-342. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_4_3
We propose multilayer ohmic contacts to n- and p-GaN layers, with titanium boride as diffusion barrier. It is shown that the optimal method of contact resistivity measurement is the transmission line method (TLM) with circular contact geometry. The Ti - Al - TiBx - Au contact metallization to n-GaN retains its layer structure after thermal annealing at temperatures up to 900 <$E symbol Р>C. The contact resistivity <$E rho sub c> is <$E ( 6,69~symbol С~1,67 )~times~10 sup -5~OMEGA~cdot~roman cm sup 2>. For the Au - TiBx - Ni - p-GaN contact structure, the contact resistivity is <$E (1~symbol С~0,15)~cdot~10 sup -3~OMEGA~cdot~roman cm sup 2>.
Попередній перегляд:   Завантажити - 261.658 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Romanets P. M. 
Peculiarities of study of Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes [Електронний ресурс] / P. M. Romanets, R. V. Konakova, M. S. Boltovets, V. V. Basanets, Ya. Ya. Kudryk, V. S. Slipokurov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2019. - Vol. 22, № 1. - С. 34-38. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2019_22_1_8
In this work, the method of electrophysical diagnostics of ohmic contacts to n<^>+-n-n<^>+ structures for powerful silicon impact ionization avalanche transit-time diodes has been proposed. The specific resistivity of the Au - Ti - Pd-n<^>+-n-n<^>+-Si contacts and the current-flow mechanism within the temperature range 100 - 360 K has been investigated. The generalized method for studying the temperature dependence of the specific contact resistance in the case of multilayer structures with non-uniform doping level has been proposed. The values of the specific contact resistance have been calculated from the temperature dependence of the total resistance of the vertical structure. The offered method can be used to control the electrophysical parameters of ohmic contacts between the etching cycles in technology of manufacturing powerful silicon impact ionization avalanche transittime diodes.
Попередній перегляд:   Завантажити - 322.537 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського